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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是主要形成電子開關的三端功率半導體器件。它是為了將高效率與快速切換相結合而開發的。IGBT結合了功率MOSFET的簡單柵極驅動特性和雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力。IGBT用于中到高功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。IGBT由四層半導體制成，形成PNPN結構。集電極（C）連接到P層，而發射極（E）連接在P層和N層之間。P+襯底用于IGBT的構造。在其上放置N層以形成PN結J1。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管組合在單個器件中。您可以將IGBT看作是BJT和MOSFET之間的融合，這些組件具有BJT的輸入特性和MOSFET的輸出特性。東芝解釋說，IGBT代表絕緣柵雙極晶體管。它是一個帶有絕緣柵極端子的雙極晶體管。IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力結合在一個器件中。

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