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LED外延晶片是加熱到適當溫度的襯底。LED晶片材料是半導體照明行業技術發展的基石。不同的襯底材料需要不同的LED外延晶片生長技術、芯片處理技術和器件封裝技術。為了實現發光效率,外延晶片供應商更關注基于GaN的LED外延晶片,因為它們具有低價格和小的外延晶片缺陷密度。將GaN襯底用于LED外延晶片的優勢在于,它能夠實現高效率、大面積、單燈和高功率,從而簡化了工藝技術并提高了大產率。外延(或epi)是一種LED技術,可確保晶片上的所有位置具有相同的原子取向,并避免降低效率的缺陷。外延晶片是通過外延生長(外延)制成的半導體材料晶片,用于光子學、微電子、自旋電子學或光伏。硅外延晶片于1966年左右首次開發,并于1980年代初獲得商業認可。在單晶硅或其他晶片上生長外延層的方法包括各種類型的化學氣相沉積(CVD),分類為常壓CVD(APCVD)或低壓CVD(LPCVD)。

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