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  • 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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要方向控制信號(hào) 。每個(gè)TVC器件包含一個(gè)N溝道導(dǎo)通晶體管陣列，它們的門在內(nèi)部連接在一起。 在轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，將連接其中一個(gè) FET 作為參考晶體管，其他晶體管導(dǎo)通晶體管......
MOSFET開關(guān)損耗簡(jiǎn)介;本文將通過解釋功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。本文引用地址：的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管......
認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計(jì)人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 作為......
傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導(dǎo)體FET，這是一個(gè)帶有絕緣柵極的三端或四端FET。 圖3顯示了一個(gè)n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個(gè)端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極......
采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng);以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng) 以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng);EPC推出?80 V、通過AEC-Q101?認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。本文引用地址： 為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因?yàn)?.....
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢(shì)，從而......
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢(shì)，從而......
大大減少鋁片所散出的熱量，從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官Alex Lidow說："氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管eGaN? FET具備開關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢(shì)，從而......
EPC推出80V、通過AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 【導(dǎo)讀】EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
直流電機(jī)之所以既只用直流電，又不用電刷，是因?yàn)橥獠坑袀€(gè)電路來專門控制它各線圈的通電。這個(gè)電流換向電路最主要的部件是FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield-EffectTransitor)。可以把FET看作......
（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會(huì)透過把一個(gè)隔離的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管......
了比硅更快的開關(guān)速度、更低的傳導(dǎo)損耗和更好的熱性能。 每個(gè) IGBT 和 MOSFET 的前端都有一個(gè)充當(dāng)電容器的柵極。必須充滿電才能“打開”功率晶體管，從而允許電流在漏極和源極之間流動(dòng)。相反，耗盡......
基于FET的100W音頻放大器電路圖;該 100W?音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個(gè) V-MOSFET?晶體管技術(shù)作為輸出級(jí)，可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是，通過添加散熱器或風(fēng)扇等方式使輸出級(jí)的晶體管......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900......
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容;宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率 晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推......
有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的管腳尺寸。雙極性晶體管應(yīng)用廣泛，如LED汽車照明系統(tǒng)；LCD顯示器中的背光燈調(diào)光；線性穩(wěn)壓器；繼電器替代產(chǎn)品、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和?MOSFET?驅(qū)動(dòng)器。 廣告 Nexperia的產(chǎn)......
計(jì)算應(yīng)用上的運(yùn)行速度就越快。電阻越低，存儲(chǔ)器的訪問速度越快。 他們還稱，MoS2和AlScN的結(jié)合是晶體管技術(shù)的真正突破。由于要使器件小型化，其他研究團(tuán)隊(duì)的FE-FET一直受到鐵電特性損失的阻礙。在這......
基二極管同樣有一個(gè)內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動(dòng)開關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏......
-MOSFETs 關(guān)于Nexperia Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC......
電機(jī)狀態(tài)的反饋，并發(fā)送信號(hào)來調(diào)節(jié)電機(jī)的扭矩、位置和速度。柵極驅(qū)動(dòng)器將來自 MCU 的信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)電機(jī)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。 ? 圖 1：基本電機(jī)控制方框圖 您可以使用 BJT......
關(guān)于Nexperia Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia......
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
下找到電路中的最小損耗點(diǎn)。設(shè)計(jì)人員在選擇 MOSFET 比率時(shí)必須牢記這些規(guī)范。 圖 8：最佳效率的比較 結(jié)語 MOSFET 的選擇與電路效率密切相關(guān)，而精確的數(shù)學(xué)模型可以簡(jiǎn)化 MOSFET 晶體管......
。 FET Field Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。 接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要......
器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面......
測(cè)物件的速度及準(zhǔn)確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過AECQ101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備快速轉(zhuǎn)換性能，與等效MOSFET相比，EPC2216的功率脈沖可以快速10倍的......
（安世半導(dǎo)體）是聞泰科技的子公司，分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商，其生產(chǎn)的產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 以及......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET......
豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品......
物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。 *4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管） 同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
的格式可能因文本文件的格式而異。 *3) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor） 金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
發(fā)展及市場(chǎng)營銷高級(jí)副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續(xù)拓展產(chǎn)品線，向市場(chǎng)推出多樣化的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。無論客戶有什么樣的設(shè)計(jì)需求，Transphorm都能......
二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。 而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企業(yè)電子元件部門”和“AVX”合并......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億......
每個(gè)開關(guān)僅使用 4 個(gè) SiC FET，則可以用較高損耗為代價(jià)實(shí)現(xiàn)更低的成本。這種情況如表?1 案例 5 所示，此時(shí)，損耗仍然遠(yuǎn)低于基于?IGBT 的解決方案。 該表的下半部分比較在使用?1200V 晶體管......
，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。 *4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管） 同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管......
豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
您所需的特定工作條件，我們會(huì)推薦合適的替代方案。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件......
輸出電容可實(shí)現(xiàn)快速的漏源轉(zhuǎn)換，特別是在低負(fù)載電流下。這進(jìn)一步提高了GaN FET的開關(guān)效率。 無體二極管：與硅和碳化硅(SiC)MOSFET不同，GaN晶體管結(jié)構(gòu)中沒有體二極管，因此沒有反向恢復(fù)損耗。這一......
Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢(shì);常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質(zhì)優(yōu)勢(shì)對(duì)比之簡(jiǎn)短指南 氮化......

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